F3L15R12W2H3_B27 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F3L15R12W2H3_B27
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 145 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.05 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS
Encapsulados: MODULE
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F3L15R12W2H3_B27 datasheet
f3l15r12w2h3 b27.pdf
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f3l15r12w2h3-b27.pdf
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f3l150r07w2e3 b11.pdf
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f3l150r12w2h3 b11.pdf
/ Technical Information IGBT- F3L150R12W2H3_B11 IGBT-Module EasyPACK 2 and PressFIT / NTC EasyPACK module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTC V = 1200V CES I = 75A / I = 150A C nom CRM
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History: IXSX80N60B | SL40T65FL | IXXH100N60C3 | STGF15M65DF2 | IXSR35N120BD1 | STGB35N35LZ | NCE80TD60BT
History: IXSX80N60B | SL40T65FL | IXXH100N60C3 | STGF15M65DF2 | IXSR35N120BD1 | STGB35N35LZ | NCE80TD60BT
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