F3L200R07PE4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F3L200R07PE4
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 680 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de F3L200R07PE4 - IGBT
F3L200R07PE4 Datasheet (PDF)
f3l200r07pe4.pdf
/ Technical InformationIGBT-F3L200R07PE4IGBT-modulesEconoPACK4 / IGBT4 and 4 diode andNTCEconoPACK4 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC / Preliminary Data
f3l200r12w2h3 b11.pdf
/ Technical InformationIGBT-F3L200R12W2H3_B11IGBT-ModuleEasyPACK 2 and PressFIT / NTCEasyPACK module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTC V = 1200VCESI = 100A / I = 200AC nom CRM
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Liste
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