Справочник IGBT. F3L200R07PE4

 

F3L200R07PE4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: F3L200R07PE4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 680 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для F3L200R07PE4

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

F3L200R07PE4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1053K  infineon
 f3l200r07pe4.pdf pdf_icon

F3L200R07PE4

/ Technical InformationIGBT-F3L200R07PE4IGBT-modulesEconoPACK4 / IGBT4 and 4 diode andNTCEconoPACK4 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC / Preliminary Data

 7.1. Size:1161K  infineon
 f3l200r12w2h3 b11.pdf pdf_icon

F3L200R07PE4

/ Technical InformationIGBT-F3L200R12W2H3_B11IGBT-ModuleEasyPACK 2 and PressFIT / NTCEasyPACK module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTC V = 1200VCESI = 100A / I = 200AC nom CRM

Другие IGBT... VS-ETL015Y120H , F12-25R12KT4G , F12-35R12KT4G , F3L100R07W2E3_B11 , F3L100R12W2H3_B11 , F3L150R07W2E3_B11 , F3L150R12W2H3_B11 , F3L15R12W2H3_B27 , IRG4PF50W , F3L200R12W2H3_B11 , F3L300R12ME4_B22 , F3L300R12ME4_B23 , F3L300R12MT4_B22 , F3L300R12MT4_B23 , F3L300R12PT4_B26 , F3L400R07ME4_B22 , F3L400R07ME4_B23 .

History: OST160N65H5MF | JT015N120F7PD1E

 

 
Back to Top

 


 
.