Справочник IGBT. F3L200R07PE4

 

F3L200R07PE4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: F3L200R07PE4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 680 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

F3L200R07PE4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1053K  infineon
 f3l200r07pe4.pdf pdf_icon

F3L200R07PE4

/ Technical InformationIGBT-F3L200R07PE4IGBT-modulesEconoPACK4 / IGBT4 and 4 diode andNTCEconoPACK4 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC / Preliminary Data

 7.1. Size:1161K  infineon
 f3l200r12w2h3 b11.pdf pdf_icon

F3L200R07PE4

/ Technical InformationIGBT-F3L200R12W2H3_B11IGBT-ModuleEasyPACK 2 and PressFIT / NTCEasyPACK module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTC V = 1200VCESI = 100A / I = 200AC nom CRM

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: SGTQ40T120SDB2P7 | IXYH40N65C3H1 | IKW40N65F5 | IXYX40N450HV | JNG40T65HYU1 | CM300DU-12F | NGTB30N120L2

 

 
Back to Top

 


 
.