F3L400R07ME4_B23 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F3L400R07ME4_B23
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1150 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 140 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de F3L400R07ME4_B23 - IGBT
F3L400R07ME4_B23 Datasheet (PDF)
f3l400r07me4 b22.pdf
/ Technical InformationIGBT-F3L400R07ME4_B22IGBT-modulesEconoDUAL3 / IGBT4 and diode andNTCEconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCV = 650VCESI = 400A / I = 80
f3l400r07me4 b23.pdf
/ Technical InformationIGBT-F3L400R07ME4_B23IGBT-modulesEconoDUAL3 / IGBT4 and diode andNTCEconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCV = 650VCESI = 400A / I = 80
f3l400r07pe4 b26.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L400R07PE4_B26IGBT-modulesEconoPACK4 Modul mit aktiver "Neutral Point Clamp 2" Topologie und PressFIT / NTCEconoPACK4 module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary Data V = 650VCESI = 400A / I = 800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications
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Liste
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