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F3L400R07ME4_B23 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: F3L400R07ME4_B23

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1150 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 140 nS

Encapsulados: MODULE

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F3L400R07ME4_B23 datasheet

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F3L400R07ME4_B23

/ Technical Information IGBT- F3L400R07ME4_B22 IGBT-modules EconoDUAL 3 / IGBT4 and diode and NTC EconoDUAL 3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC V = 650V CES I = 400A / I = 80

 0.2. Size:959K  infineon
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F3L400R07ME4_B23

/ Technical Information IGBT- F3L400R07ME4_B23 IGBT-modules EconoDUAL 3 / IGBT4 and diode and NTC EconoDUAL 3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC V = 650V CES I = 400A / I = 80

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F3L400R07ME4_B23

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History: OST30N65HMF | DM2G150SH6A | OST25N65FMF

 

 

 

 

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