F3L400R07ME4_B23 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: F3L400R07ME4_B23
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1150 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 140 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для F3L400R07ME4_B23
F3L400R07ME4_B23 Datasheet (PDF)
f3l400r07me4 b22.pdf
/ Technical InformationIGBT-F3L400R07ME4_B22IGBT-modulesEconoDUAL3 / IGBT4 and diode andNTCEconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCV = 650VCESI = 400A / I = 80
f3l400r07me4 b23.pdf
/ Technical InformationIGBT-F3L400R07ME4_B23IGBT-modulesEconoDUAL3 / IGBT4 and diode andNTCEconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCV = 650VCESI = 400A / I = 80
f3l400r07pe4 b26.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L400R07PE4_B26IGBT-modulesEconoPACK4 Modul mit aktiver "Neutral Point Clamp 2" Topologie und PressFIT / NTCEconoPACK4 module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary Data V = 650VCESI = 400A / I = 800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications
Другие IGBT... F3L200R07PE4 , F3L200R12W2H3_B11 , F3L300R12ME4_B22 , F3L300R12ME4_B23 , F3L300R12MT4_B22 , F3L300R12MT4_B23 , F3L300R12PT4_B26 , F3L400R07ME4_B22 , FGH30S130P , F3L400R07PE4_B26 , F3L400R12PT4_B26 , F3L75R07W2E3_B11 , F3L75R12W1H3_B27 , F3L80R12W1H3_B11 , F4-100R06KL4 , F4-100R12KS4 , F4-150R12KS4 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2