F3L400R12PT4_B26 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F3L400R12PT4_B26
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2150 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.4 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 110 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de F3L400R12PT4_B26 IGBT
F3L400R12PT4_B26 Datasheet (PDF)
f3l400r12pt4 b26.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L400R12PT4_B26IGBT-modulesEconoPACK4 Modul mit aktiver "Neutral Point Clamp 2" Topologie und PressFIT / NTCEconoPACK4 module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary Data V = 1200VCESI = 400A / I = 800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications
f3l400r12pt4p-b26.pdf

F3L400R12PT4P_B26EconoPACK4 Modul mit aktiver "Neutral Point Clamp 2" Topologie und PressFIT / bereits aufgetragenemThermal Interface MaterialEconoPACK4 module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / pre-applied ThermalInterface MaterialVorlufige Daten / Preliminary Data V = 1200VCESI = 400A / I = 800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applic
f3l400r10w3s7f-b11.pdf

F3L400R10W3S7F_B11EasyPACK Modul mit TRENCHSTOP IGBT7 und CoolSiC Schottky Diode und PressFIT / NTCEasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode and PressFIT / NTCV = 950VCESI = 400A / I = 800AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications 3-Level-Applikationen 3-level-applications Solar Anwendungen Solar applications
Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: IXGM40N60 | 2MBI400N-060-01 | AP26G40GEO-HF | BLG60T65FDK-F | IHW50N65R5 | NGTG25N120FL2 | BSM100GB120DLCK
History: IXGM40N60 | 2MBI400N-060-01 | AP26G40GEO-HF | BLG60T65FDK-F | IHW50N65R5 | NGTG25N120FL2 | BSM100GB120DLCK



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet