F3L400R12PT4_B26 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F3L400R12PT4_B26
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2150 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.4 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 110 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
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F3L400R12PT4_B26 Datasheet (PDF)
f3l400r12pt4 b26.pdf
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f3l400r12pt4p-b26.pdf
F3L400R12PT4P_B26EconoPACK4 Modul mit aktiver "Neutral Point Clamp 2" Topologie und PressFIT / bereits aufgetragenemThermal Interface MaterialEconoPACK4 module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / pre-applied ThermalInterface MaterialVorlufige Daten / Preliminary Data V = 1200VCESI = 400A / I = 800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applic
f3l400r10w3s7f-b11.pdf
F3L400R10W3S7F_B11EasyPACK Modul mit TRENCHSTOP IGBT7 und CoolSiC Schottky Diode und PressFIT / NTCEasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode and PressFIT / NTCV = 950VCESI = 400A / I = 800AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications 3-Level-Applikationen 3-level-applications Solar Anwendungen Solar applications
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Liste
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