F3L400R12PT4_B26 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: F3L400R12PT4_B26
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2150 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 110 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для F3L400R12PT4_B26
F3L400R12PT4_B26 Datasheet (PDF)
f3l400r12pt4 b26.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L400R12PT4_B26IGBT-modulesEconoPACK4 Modul mit aktiver "Neutral Point Clamp 2" Topologie und PressFIT / NTCEconoPACK4 module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary Data V = 1200VCESI = 400A / I = 800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications
f3l400r12pt4p-b26.pdf

F3L400R12PT4P_B26EconoPACK4 Modul mit aktiver "Neutral Point Clamp 2" Topologie und PressFIT / bereits aufgetragenemThermal Interface MaterialEconoPACK4 module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / pre-applied ThermalInterface MaterialVorlufige Daten / Preliminary Data V = 1200VCESI = 400A / I = 800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applic
f3l400r10w3s7f-b11.pdf

F3L400R10W3S7F_B11EasyPACK Modul mit TRENCHSTOP IGBT7 und CoolSiC Schottky Diode und PressFIT / NTCEasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode and PressFIT / NTCV = 950VCESI = 400A / I = 800AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications 3-Level-Applikationen 3-level-applications Solar Anwendungen Solar applications
Другие IGBT... F3L300R12ME4_B22 , F3L300R12ME4_B23 , F3L300R12MT4_B22 , F3L300R12MT4_B23 , F3L300R12PT4_B26 , F3L400R07ME4_B22 , F3L400R07ME4_B23 , F3L400R07PE4_B26 , IRG4PC40W , F3L75R07W2E3_B11 , F3L75R12W1H3_B27 , F3L80R12W1H3_B11 , F4-100R06KL4 , F4-100R12KS4 , F4-150R12KS4 , F4-200R06KL4 , F4-30R06W1E3 .
History: OST160N65H5MF | JT015N120F7PD1E
History: OST160N65H5MF | JT015N120F7PD1E



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet