F4-100R06KL4 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F4-100R06KL4
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 430 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 10 nS
Encapsulados: MODULE
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F4-100R06KL4 datasheet
f4-100r06kl4.pdf
Technische Information / technical information IGBT-Module F4-100R06KL4 IGBT-modules Vorl ufige Daten preliminary data IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter H chstzul ssige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 600 V collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom T = 65 C I 100 A DC-collector current T = 25 C I 130 A Periodischer Kollekto
f4-100r12ks4.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module F4-100R12KS4 IGBT-modules Vorl ufige Daten IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary Data H chstzul ssige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 1200 V vj CES Collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom T = 65 C, T = 150 C I 100 A C vj max C nom Continuous DC collector c
Otros transistores... F3L300R12PT4_B26 , F3L400R07ME4_B22 , F3L400R07ME4_B23 , F3L400R07PE4_B26 , F3L400R12PT4_B26 , F3L75R07W2E3_B11 , F3L75R12W1H3_B27 , F3L80R12W1H3_B11 , IRGP4063 , F4-100R12KS4 , F4-150R12KS4 , F4-200R06KL4 , F4-30R06W1E3 , F4-50R06W1E3 , F4-50R07W2H3_B51 , F4-50R12KS4 , F4-50R12KS4_B11 .
History: FD300R12KS4_B5 | FD900R12IP4D
History: FD300R12KS4_B5 | FD900R12IP4D
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