F4-100R06KL4 Todos los transistores

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F4-100R06KL4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: F4-100R06KL4

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 430

Tensión colector-emisor (Vce): 600

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.95

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 100

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 10

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: MODULE

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F4-100R06KL4 Datasheet (PDF)

1.1. f4-100r06kl4.pdf Size:266K _igbt_a

F4-100R06KL4
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Technische Information / technical information IGBT-Module F4-100R06KL4 IGBT-modules Vorläufige Daten preliminary data IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25°C V 600 V collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom T = 65°C I 100 A DC-collector current T = 25°C I 130 A Periodischer Kollekto

3.1. f4-100r12ks4.pdf Size:480K _igbt_a

F4-100R06KL4
F4-100R06KL4

Technische Information / Technical Information IGBT-Module F4-100R12KS4 IGBT-modules Vorläufige Daten IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary Data Höchstzulässige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25°C V 1200 V vj CES Collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom T = 65°C, T = 150°C I 100 A C vj max C nom Continuous DC collector c

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