Справочник IGBT. F4-100R06KL4

 

F4-100R06KL4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: F4-100R06KL4
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 430 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для F4-100R06KL4

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

F4-100R06KL4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:266K  eupec
 f4-100r06kl4.pdf pdf_icon

F4-100R06KL4

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleF4-100R06KL4IGBT-modulesVorlufige Datenpreliminary dataIGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 600 Vcollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 65C I 100 ADC-collector current T = 25C I 130 APeriodischer Kollekto

 7.1. Size:480K  infineon
 f4-100r12ks4.pdf pdf_icon

F4-100R06KL4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-100R12KS4IGBT-modulesVorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 65C, T = 150C I 100 AC vj max C nomContinuous DC collector c

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: VS-GT300YH120N | IGC18T120T8L

 

 
Back to Top

 


 
.