F4-100R12KS4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F4-100R12KS4
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 660 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
F4-100R12KS4 Datasheet (PDF)
f4-100r12ks4.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-100R12KS4IGBT-modulesVorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 65C, T = 150C I 100 AC vj max C nomContinuous DC collector c
f4-100r06kl4.pdf
Technische Information / technical informationIGBT-ModuleF4-100R06KL4IGBT-modulesVorlufige Datenpreliminary dataIGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 600 Vcollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 65C I 100 ADC-collector current T = 25C I 130 APeriodischer Kollekto
Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: RGT8BM65D | MMIX1X200N60B3
History: RGT8BM65D | MMIX1X200N60B3
Liste
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