F4-100R12KS4 Todos los transistores

 

F4-100R12KS4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: F4-100R12KS4
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 660 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

 Búsqueda de reemplazo de F4-100R12KS4 IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

F4-100R12KS4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:480K  infineon
 f4-100r12ks4.pdf pdf_icon

F4-100R12KS4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-100R12KS4IGBT-modulesVorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 65C, T = 150C I 100 AC vj max C nomContinuous DC collector c

 7.1. Size:266K  eupec
 f4-100r06kl4.pdf pdf_icon

F4-100R12KS4

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleF4-100R06KL4IGBT-modulesVorlufige Datenpreliminary dataIGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 600 Vcollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 65C I 100 ADC-collector current T = 25C I 130 APeriodischer Kollekto

Otros transistores... F3L400R07ME4_B22 , F3L400R07ME4_B23 , F3L400R07PE4_B26 , F3L400R12PT4_B26 , F3L75R07W2E3_B11 , F3L75R12W1H3_B27 , F3L80R12W1H3_B11 , F4-100R06KL4 , KGF75N65KDF , F4-150R12KS4 , F4-200R06KL4 , F4-30R06W1E3 , F4-50R06W1E3 , F4-50R07W2H3_B51 , F4-50R12KS4 , F4-50R12KS4_B11 , F4-50R12MS4 .

History: STGWT80H65DFB | BLG40T65FUK-W

 

 
Back to Top

 


 
.