F4-50R12MS4 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F4-50R12MS4
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 355 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Encapsulados: MODULE
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F4-50R12MS4 datasheet
f4-50r12ms4.pdf
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f4-50r12ks4.pdf
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f4-50r06w1e3.pdf
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