F4-50R12MS4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: F4-50R12MS4
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 355 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.2 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
F4-50R12MS4 Datasheet (PDF)
f4-50r12ms4.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-50R12MS4IGBT-modulesEconoDUAL2 Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten und NTCEconoDUAL2 module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and NTCV = 1200VCESI = 50A / I = 100AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency
f4-50r12ks4.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-50R12KS4IGBT-modulesVorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 70C, T = 150C I 50 AC vj max C nomContinuous DC collector cur
f4-50r12ks4 b11.pdf

/ Technical InformationIGBT-F4-50R12KS4_B11IGBT-modulesEconoPACK2 IGBT pressfitNTCEconoPACK2 module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and PressFIT / NTC / Preliminary DataV = 1200VCESI = 50A / I = 100AC nom CRM Typ
f4-50r06w1e3.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-50R06W1E3IGBT-modulesEasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTCEasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTCV = 600VCESI = 50A / I = 100AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hilfsumrichter Auxiliary Inverters I
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: SM2G75US60 | JNG25T60HS | IXGM40N60 | MSG60T65FHC | APTGT200DA170D3 | IXA20PT1200LB | FD400R65KF1-K
History: SM2G75US60 | JNG25T60HS | IXGM40N60 | MSG60T65FHC | APTGT200DA170D3 | IXA20PT1200LB | FD400R65KF1-K



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement