F4-75R12MS4 Todos los transistores

 

F4-75R12MS4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: F4-75R12MS4
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 500 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

F4-75R12MS4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:556K  infineon
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F4-75R12MS4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-75R12MS4IGBT-modulesEconoDUAL2 Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten und NTCEconoDUAL2 module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and NTCV = 1200VCESI = 75A / I = 150AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency

 6.1. Size:879K  infineon
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F4-75R12MS4

/ Technical InformationIGBT-F4-75R12KS4_B11IGBT-modulesEconoPACK2 IGBT pressfitNTCEconoPACK2 module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and PressFIT / NTC / Preliminary DataV = 1200VCESI = 75A / I = 150AC nom CRM Typ

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F4-75R12MS4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-75R12KS4IGBT-modulesVorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 65C, T = 150C I 75 AC vj max C nomContinuous DC collector cur

 6.3. Size:674K  infineon
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F4-75R12MS4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-75R12KS4_B11IGBT-modulesEconoPACK2 Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten und PressFIT / NTCEconoPACK2 module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 75A / I = 150AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: APTGT600U170D4 | APTGT75SK120D1

 

 
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