Справочник IGBT. F4-75R12MS4

 

F4-75R12MS4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: F4-75R12MS4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

F4-75R12MS4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:556K  infineon
f4-75r12ms4.pdfpdf_icon

F4-75R12MS4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-75R12MS4IGBT-modulesEconoDUAL2 Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten und NTCEconoDUAL2 module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and NTCV = 1200VCESI = 75A / I = 150AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency

 6.1. Size:879K  infineon
f4-75r12ks4 b11.pdfpdf_icon

F4-75R12MS4

/ Technical InformationIGBT-F4-75R12KS4_B11IGBT-modulesEconoPACK2 IGBT pressfitNTCEconoPACK2 module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and PressFIT / NTC / Preliminary DataV = 1200VCESI = 75A / I = 150AC nom CRM Typ

 6.2. Size:421K  infineon
f4-75r12ks4.pdfpdf_icon

F4-75R12MS4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-75R12KS4IGBT-modulesVorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 65C, T = 150C I 75 AC vj max C nomContinuous DC collector cur

 6.3. Size:674K  infineon
f4-75r12ks4-b11.pdfpdf_icon

F4-75R12MS4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-75R12KS4_B11IGBT-modulesEconoPACK2 Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten und PressFIT / NTCEconoPACK2 module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 75A / I = 150AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications

Другие IGBT... F4-50R07W2H3_B51 , F4-50R12KS4 , F4-50R12KS4_B11 , F4-50R12MS4 , F4-75R06W1E3 , F4-75R07W2H3_B51 , F4-75R12KS4 , F4-75R12KS4_B11 , SGT40N60NPFDPN , FB10R06KL4G , FB15R06KL4B1 , FB15R06W1E3 , FB20R06KL4 , FB20R06W1E3 , FB20R06W1E3_B11 , FB30R06W1E3 , FD1000R17IE4 .

History: HGTD6N40E1 | IXGH30N60B | IRG7PH35UD1M | NGTB50N120FL2WG | BSM30GD60DLC_E3224 | IRG4BC30UD | SKM195GAR063DN

 

 
Back to Top

 


 
.