FB20R06W1E3_B11 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FB20R06W1E3_B11
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 94 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 13 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de FB20R06W1E3_B11 - IGBT
FB20R06W1E3_B11 Datasheet (PDF)
fb20r06w1e3 b11.pdf
/ Technical InformationIGBT-FB20R06W1E3_B11IGBT-modulesEasyPIM /IGBT3 NTCEasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTCV = 600VCESI = 20A / I = 40AC nom CRM Typical Applications Auxiliar
fb20r06w1e3-b11.pdf
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Liste
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