FD200R12KE3 Todos los transistores

 

FD200R12KE3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FD200R12KE3
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1050 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

 Búsqueda de reemplazo de FD200R12KE3 IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FD200R12KE3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:455K  infineon
 fd200r12ke3.pdf pdf_icon

FD200R12KE3

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD200R12KE3IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled High Efficiency Diode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled High Efficiency diode IGBT, Brems-Chopper / IGBT, Brake-ChopperHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-Sperrspann

 0.1. Size:589K  infineon
 fd200r12ke3p.pdf pdf_icon

FD200R12KE3

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFD200R12KE3PIGBT-Module62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled HE Diode und bereitsaufgetragenem Thermal Interface Material62mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled HE diode and pre-appliedThermal Interface MaterialVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VC

 6.1. Size:828K  infineon
 fd200r12pt4-b6.pdf pdf_icon

FD200R12KE3

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD200R12PT4_B6IGBT-modulesEconoPACK4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTCEconoPACK4 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCV = 1200VCESI = 200A / I = 400AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Appli

 6.2. Size:783K  infineon
 fd200r12pt4 b6.pdf pdf_icon

FD200R12KE3

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD200R12PT4_B6IGBT-modulesEconoPACK4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTCEconoPACK4 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCV = 1200VCESI = 200A / I = 400AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Appli

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... FB30R06W1E3 , FD1000R17IE4 , FD1000R17IE4D_B2 , FD1000R33HE3-K , FD1000R33HL3-K , FD1200R17KE3-K , FD1200R17KE3-K_B2 , FD1400R12IP4D , IKW75N60T , FD200R12PT4_B6 , FD250R65KE3-K , FD300R06KE3 , FD300R07PE4_B6 , FD300R12KE3 , FD300R12KS4 , FD300R12KS4_B5 , FD400R12KE3_B5 .

History: IXGH24N120C3H1

 

 
Back to Top

 


 
.