FD600R06ME3_B11_S2 Todos los transistores

 

FD600R06ME3_B11_S2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FD600R06ME3_B11_S2
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 600 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.3 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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FD600R06ME3_B11_S2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:930K  infineon
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FD600R06ME3_B11_S2

/ Technical InformationIGBT-FD600R06ME3_B11_S2IGBT-modulesEconoDUAL3 /IGBT3pressfitNTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC / Preliminary DataV = 600VCESI = 600A / I = 1200A

 2.1. Size:844K  infineon
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FD600R06ME3_B11_S2

/ Technical InformationIGBT-FD600R06ME3_S2IGBT-modulesEconoDUAL3 / IGBT3 and 3diode and NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC / Preliminary

 3.1. Size:650K  infineon
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FD600R06ME3_B11_S2

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD600R06ME3_S2IGBT-modulesEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 600VCESI = 600A / I = 1200AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications

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History: MPBW50N65EH | MPBW40N120BF | DF80R12W2H3F_B11

 

 
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