FD600R06ME3_B11_S2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FD600R06ME3_B11_S2
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 600 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de FD600R06ME3_B11_S2 - IGBT
FD600R06ME3_B11_S2 Datasheet (PDF)
fd600r06me3 b11 s2.pdf
/ Technical InformationIGBT-FD600R06ME3_B11_S2IGBT-modulesEconoDUAL3 /IGBT3pressfitNTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC / Preliminary DataV = 600VCESI = 600A / I = 1200A
fd600r06me3 s2.pdf
/ Technical InformationIGBT-FD600R06ME3_S2IGBT-modulesEconoDUAL3 / IGBT3 and 3diode and NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC / Preliminary
fd600r06me3-s2.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD600R06ME3_S2IGBT-modulesEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 600VCESI = 600A / I = 1200AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2