FD900R12IP4DV - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FD900R12IP4DV
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 5100 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 900 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 140 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de FD900R12IP4DV - IGBT
FD900R12IP4DV Datasheet (PDF)
fd900r12ip4dv.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD900R12IP4DVIGBT-modulesPrimePACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, grerer Emitter Controlled 4 DiodePrimePACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diodeVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 900A / I = 1800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications
fd900r12ip4d.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD900R12IP4DIGBT-modulesPrimePACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, grerer Emitter Controlled 4 DiodePrimePACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diodeVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 900A / I = 1800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications
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Liste
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