FF1000R17IE4 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FF1000R17IE4
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 6250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1000 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Encapsulados: MODULE
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FF1000R17IE4 datasheet
ff1000r17ie4.pdf
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ff1000r17ie4dp-b2.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Modul FF1000R17IE4DP_B2 IGBT-Module PrimePACK 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode PrimePACK 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode V = 1700V CES I = 1000A / I = 2000A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Traktionsumrichter Traction drives Windgene
ff1000r17ie4d-b2.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF1000R17IE4D_B2 IGBT-modules PrimePACK 3 Modul und NTC PrimePACK 3 module and NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1700V CES I = 1000A / I = 2000A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Hilfsumrichter Auxiliary Inverters Hochleistungsu
ff1000r17ie4p.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Modul FF1000R17IE4P IGBT-Module PrimePACK 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode PrimePACK 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode V = 1700V CES I = 1000A / I = 2000A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichter High power converters Mo
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