Справочник IGBT. FF1000R17IE4

 

FF1000R17IE4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FF1000R17IE4
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1000 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

FF1000R17IE4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:677K  infineon
 ff1000r17ie4.pdf pdf_icon

FF1000R17IE4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF1000R17IE4IGBT-modulesPrimePACK3 Modul und NTCPrimePACK3 module and NTCV = 1700VCESI = 1000A / I = 2000AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Hilfsumrichter Auxiliary Inverters Hochleistungsumrichter High Power Converters Mo

 0.1. Size:620K  infineon
 ff1000r17ie4dp-b2.pdf pdf_icon

FF1000R17IE4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFF1000R17IE4DP_B2IGBT-ModulePrimePACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled DiodePrimePACK3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diodeV = 1700VCESI = 1000A / I = 2000AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Traktionsumrichter Traction drives Windgene

 0.2. Size:681K  infineon
 ff1000r17ie4d-b2.pdf pdf_icon

FF1000R17IE4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF1000R17IE4D_B2IGBT-modulesPrimePACK3 Modul und NTCPrimePACK3 module and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1700VCESI = 1000A / I = 2000AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Hilfsumrichter Auxiliary Inverters Hochleistungsu

 0.3. Size:614K  infineon
 ff1000r17ie4p.pdf pdf_icon

FF1000R17IE4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFF1000R17IE4PIGBT-ModulePrimePACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled DiodePrimePACK3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diodeV = 1700VCESI = 1000A / I = 2000AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichter High power converters Mo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FD800R17KE3_B2 , FD800R17KF6C_B2 , FD800R33KF2C , FD800R33KF2C-K , FD800R33KL2C-K_B5 , FD900R12IP4D , FD900R12IP4DV , FD-DF80R12W1H3_B52 , RJH60F5DPQ-A0 , FF1000R17IE4D_B2 , FF200R06YE3 , FF200R12KE4 , FF200R12KS4 , FF200R12KT3 , FF200R12KT3_E , FF200R12KT4 , FF200R12MT4 .

History: AFGHL40T65SPD | IXGC16N60C2 | MM50G3U120BMX | IXYH24N90C3D1

 

 
Back to Top

 


 
.