FF1000R17IE4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FF1000R17IE4
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6250 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1000 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для FF1000R17IE4
FF1000R17IE4 Datasheet (PDF)
ff1000r17ie4.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF1000R17IE4IGBT-modulesPrimePACK3 Modul und NTCPrimePACK3 module and NTCV = 1700VCESI = 1000A / I = 2000AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Hilfsumrichter Auxiliary Inverters Hochleistungsumrichter High Power Converters Mo
ff1000r17ie4dp-b2.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFF1000R17IE4DP_B2IGBT-ModulePrimePACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled DiodePrimePACK3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diodeV = 1700VCESI = 1000A / I = 2000AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Traktionsumrichter Traction drives Windgene
ff1000r17ie4d-b2.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF1000R17IE4D_B2IGBT-modulesPrimePACK3 Modul und NTCPrimePACK3 module and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1700VCESI = 1000A / I = 2000AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Hilfsumrichter Auxiliary Inverters Hochleistungsu
ff1000r17ie4p.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFF1000R17IE4PIGBT-ModulePrimePACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled DiodePrimePACK3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diodeV = 1700VCESI = 1000A / I = 2000AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichter High power converters Mo
ff1000r17ie4d b2.pdf
/ Technical InformationIGBT-FF1000R17IE4D_B2IGBT-modulesPrimePACK3 and NTCPrimePACK3 module and NTC / Preliminary DataV = 1700VCESI = 1000A / I = 2000AC nom CRM Typical Applications 3 3-Level-Applications
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2