FF1000R17IE4 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: FF1000R17IE4
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6250 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1000 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для FF1000R17IE4
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
FF1000R17IE4 даташит
ff1000r17ie4.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF1000R17IE4 IGBT-modules PrimePACK 3 Modul und NTC PrimePACK 3 module and NTC V = 1700V CES I = 1000A / I = 2000A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Hilfsumrichter Auxiliary Inverters Hochleistungsumrichter High Power Converters Mo
ff1000r17ie4dp-b2.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Modul FF1000R17IE4DP_B2 IGBT-Module PrimePACK 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode PrimePACK 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode V = 1700V CES I = 1000A / I = 2000A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Traktionsumrichter Traction drives Windgene
ff1000r17ie4d-b2.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF1000R17IE4D_B2 IGBT-modules PrimePACK 3 Modul und NTC PrimePACK 3 module and NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1700V CES I = 1000A / I = 2000A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Hilfsumrichter Auxiliary Inverters Hochleistungsu
ff1000r17ie4p.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Modul FF1000R17IE4P IGBT-Module PrimePACK 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode PrimePACK 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode V = 1700V CES I = 1000A / I = 2000A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichter High power converters Mo
Другие IGBT... FD800R17KE3_B2 , FD800R17KF6C_B2 , FD800R33KF2C , FD800R33KF2C-K , FD800R33KL2C-K_B5 , FD900R12IP4D , FD900R12IP4DV , FD-DF80R12W1H3_B52 , GT30F131 , FF1000R17IE4D_B2 , FF200R06YE3 , FF200R12KE4 , FF200R12KS4 , FF200R12KT3 , FF200R12KT3_E , FF200R12KT4 , FF200R12MT4 .
History: MMG50H120H6HN
History: MMG50H120H6HN
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175





