FF200R12KE4 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FF200R12KE4
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1100 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS
Encapsulados: MODULE
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FF200R12KE4 datasheet
ff200r12ke4.pdf
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ff200r12ke4p.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Modul FF200R12KE4P IGBT-Module 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material 62mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and pre-applied Thermal Interface Material Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V C
ff200r12ke3.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF200R12KE3 IGBT-modules IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter H chstzul ssige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 1200 V vj CES Collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom T = 80 C, T = 150 C I 200 A C vj max C nom Continuous DC collector current T = 25 C, T = 150 C I 295 A
ff200r12ks4.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF200R12KS4 IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 f r hochfrequentes Schalten 62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching V = 1200V CES I = 200A / I = 400A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching Appli
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