FF200R12KE4 Todos los transistores

 

FF200R12KE4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FF200R12KE4
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1100 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.4 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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FF200R12KE4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:463K  infineon
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FF200R12KE4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R12KE4IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode IGBT,Wechselrichter / IGBT,InverterHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESColle

 0.1. Size:600K  infineon
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FF200R12KE4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFF200R12KE4PIGBT-Module62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und bereitsaufgetragenem Thermal Interface Material62mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and pre-appliedThermal Interface MaterialVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VC

 4.1. Size:425K  infineon
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FF200R12KE4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R12KE3IGBT-modulesIGBT,Wechselrichter / IGBT,InverterHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 80C, T = 150C I 200 AC vj max C nomContinuous DC collector current T = 25C, T = 150C I 295 A

 5.1. Size:630K  infineon
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FF200R12KE4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R12KS4IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switchingV = 1200VCESI = 200A / I = 400AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching Appli

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