FF200R12KE4 - аналоги и описание IGBT

 

FF200R12KE4 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: FF200R12KE4

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1100 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для FF200R12KE4

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FF200R12KE4 даташит

 ..1. Size:463K  infineon
ff200r12ke4.pdfpdf_icon

FF200R12KE4

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF200R12KE4 IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter H chstzul ssige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 1200 V vj CES Colle

 0.1. Size:600K  infineon
ff200r12ke4p.pdfpdf_icon

FF200R12KE4

Technische Information / Technical Information IGBT-Modul FF200R12KE4P IGBT-Module 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material 62mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and pre-applied Thermal Interface Material Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V C

 4.1. Size:425K  infineon
ff200r12ke3.pdfpdf_icon

FF200R12KE4

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF200R12KE3 IGBT-modules IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter H chstzul ssige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 1200 V vj CES Collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom T = 80 C, T = 150 C I 200 A C vj max C nom Continuous DC collector current T = 25 C, T = 150 C I 295 A

 5.1. Size:630K  infineon
ff200r12ks4.pdfpdf_icon

FF200R12KE4

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF200R12KS4 IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 f r hochfrequentes Schalten 62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching V = 1200V CES I = 200A / I = 400A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching Appli

Другие IGBT... FD800R33KF2C-K , FD800R33KL2C-K_B5 , FD900R12IP4D , FD900R12IP4DV , FD-DF80R12W1H3_B52 , FF1000R17IE4 , FF1000R17IE4D_B2 , FF200R06YE3 , FGH75T65UPD , FF200R12KS4 , FF200R12KT3 , FF200R12KT3_E , FF200R12KT4 , FF200R12MT4 , FF200R17KE3 , FF200R17KE4 , FF200R33KF2C .

History: F4-200R06KL4 | NCE15TD120BD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.