FF200R12KS4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FF200R12KS4
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1400 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de FF200R12KS4 IGBT
FF200R12KS4 Datasheet (PDF)
ff200r12ks4.pdf

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ff200r12ks4p.pdf

FF200R12KS4P62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten und bereits aufgetragenemThermal Interface Material62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and pre-applied Thermal InterfaceMaterialV = 1200VCESI = 200A / I = 400AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications Anwendungen fr Resonanz Umrichter Reso
ff200r12ke3.pdf

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ff200r12kt3 e.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R12KT3_EIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit gemeinsamen Emitter 62mm C-series module with common emitter Vorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor
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