Справочник IGBT. FF200R12KS4

 

FF200R12KS4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FF200R12KS4
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1400 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для FF200R12KS4

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FF200R12KS4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:630K  infineon
ff200r12ks4.pdfpdf_icon

FF200R12KS4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R12KS4IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switchingV = 1200VCESI = 200A / I = 400AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching Appli

 0.1. Size:467K  infineon
ff200r12ks4p.pdfpdf_icon

FF200R12KS4

FF200R12KS4P62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten und bereits aufgetragenemThermal Interface Material62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and pre-applied Thermal InterfaceMaterialV = 1200VCESI = 200A / I = 400AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications Anwendungen fr Resonanz Umrichter Reso

 5.1. Size:425K  infineon
ff200r12ke3.pdfpdf_icon

FF200R12KS4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R12KE3IGBT-modulesIGBT,Wechselrichter / IGBT,InverterHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 80C, T = 150C I 200 AC vj max C nomContinuous DC collector current T = 25C, T = 150C I 295 A

 5.2. Size:396K  infineon
ff200r12kt3 e.pdfpdf_icon

FF200R12KS4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R12KT3_EIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit gemeinsamen Emitter 62mm C-series module with common emitter Vorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor

Другие IGBT... FD800R33KL2C-K_B5 , FD900R12IP4D , FD900R12IP4DV , FD-DF80R12W1H3_B52 , FF1000R17IE4 , FF1000R17IE4D_B2 , FF200R06YE3 , FF200R12KE4 , CRG75T60AK3HD , FF200R12KT3 , FF200R12KT3_E , FF200R12KT4 , FF200R12MT4 , FF200R17KE3 , FF200R17KE4 , FF200R33KF2C , FF225R12ME3 .

 

 
Back to Top

 


 
.