FF225R12ME4 Todos los transistores

 

FF225R12ME4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FF225R12ME4
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1050 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 225 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

FF225R12ME4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:897K  infineon
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FF225R12ME4

/ Technical InformationIGBT-FF225R12ME4_B11IGBT-modulesEconoDUAL3 /IGBT4HEpressfitNTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and PressFIT / NTC / Preliminary DataV = 1200VCESI = 225A / I = 450AC no

 ..2. Size:612K  infineon
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FF225R12ME4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF225R12ME4IGBT-modulesEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTCV = 1200VCESI = 225A / I = 450AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Motorantriebe Motor Drives

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FF225R12ME4

FF225R12ME4PEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC / bereitsaufgetragenem Thermal Interface MaterialEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC /pre-applied Thermal Interface MaterialV = 1200VCESI = 225A / I = 450AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Motorantriebe

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FF225R12ME4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF225R12ME4_B11IGBT-modulesEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und PressFIT / NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 225A / I = 450AC nom CRMTypische Anwendunge

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: APTGF50X60BTP3 | IXBT16N170A | VS-20MT120UFAPBF | HGT1S7N60B3D | BUK866-400IZ | FGHL40S65UQ | MG100Q2YS65H

 

 
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