FF225R12ME4 Todos los transistores

 

FF225R12ME4 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FF225R12ME4

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1050 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 225 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS

Encapsulados: MODULE

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FF225R12ME4 datasheet

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FF225R12ME4

/ Technical Information IGBT- FF225R12ME4_B11 IGBT-modules EconoDUAL 3 / IGBT4 HE pressfit NTC EconoDUAL 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and PressFIT / NTC / Preliminary Data V = 1200V CES I = 225A / I = 450A C no

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FF225R12ME4

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF225R12ME4 IGBT-modules EconoDUAL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC EconoDUAL 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC V = 1200V CES I = 225A / I = 450A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Motorantriebe Motor Drives

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FF225R12ME4

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FF225R12ME4

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF225R12ME4_B11 IGBT-modules EconoDUAL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und PressFIT / NTC EconoDUAL 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and PressFIT / NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V CES I = 225A / I = 450A C nom CRM Typische Anwendunge

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