Справочник IGBT. FF225R12ME4

 

FF225R12ME4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FF225R12ME4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1050 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 225 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

FF225R12ME4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:897K  infineon
 ff225r12me4 b11.pdf pdf_icon

FF225R12ME4

/ Technical InformationIGBT-FF225R12ME4_B11IGBT-modulesEconoDUAL3 /IGBT4HEpressfitNTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and PressFIT / NTC / Preliminary DataV = 1200VCESI = 225A / I = 450AC no

 ..2. Size:612K  infineon
 ff225r12me4.pdf pdf_icon

FF225R12ME4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF225R12ME4IGBT-modulesEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTCV = 1200VCESI = 225A / I = 450AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Motorantriebe Motor Drives

 0.1. Size:582K  infineon
 ff225r12me4p.pdf pdf_icon

FF225R12ME4

FF225R12ME4PEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC / bereitsaufgetragenem Thermal Interface MaterialEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC /pre-applied Thermal Interface MaterialV = 1200VCESI = 225A / I = 450AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Motorantriebe

 0.2. Size:694K  infineon
 ff225r12me4-b11.pdf pdf_icon

FF225R12ME4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF225R12ME4_B11IGBT-modulesEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und PressFIT / NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 225A / I = 450AC nom CRMTypische Anwendunge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: HGT1S7N60B3D | BUK866-400IZ | APTGF50X60BTP3 | CM100TL-24NF | MG100Q2YS65H | APT64GA90B

 

 
Back to Top

 


 
.