FF225R12ME4_B11 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FF225R12ME4_B11
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1050 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 225 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
Encapsulados: MODULE
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FF225R12ME4_B11 datasheet
ff225r12me4 b11.pdf
/ Technical Information IGBT- FF225R12ME4_B11 IGBT-modules EconoDUAL 3 / IGBT4 HE pressfit NTC EconoDUAL 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and PressFIT / NTC / Preliminary Data V = 1200V CES I = 225A / I = 450A C no
ff225r12me4-b11.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF225R12ME4_B11 IGBT-modules EconoDUAL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und PressFIT / NTC EconoDUAL 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and PressFIT / NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V CES I = 225A / I = 450A C nom CRM Typische Anwendunge
Otros transistores... FF200R12KT3_E , FF200R12KT4 , FF200R12MT4 , FF200R17KE3 , FF200R17KE4 , FF200R33KF2C , FF225R12ME3 , FF225R12ME4 , NGTB75N65FL2 , FF225R12MS4 , FF225R17ME3 , FF225R17ME4 , FF225R17ME4_B11 , FF300R06KE3 , FF300R06KE3_B2 , FF300R07KE4 , FF300R07ME4_B11 .
History: FF225R12ME3
History: FF225R12ME3
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