FF300R06KE3_B2 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FF300R06KE3_B2
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 940 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Encapsulados: MODULE
Búsqueda de reemplazo de FF300R06KE3_B2 IGBT
- Selección ⓘ de transistores por parámetros
FF300R06KE3_B2 datasheet
ff300r06ke3 b2.pdf
/ Technical Information IGBT- FF300R06KE3_B2 IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3, Emitter Controlled3 Diode und M5 Lastanschl ssen 62mm C-Serien module with trench/fieldstop IGBT3, Emitter Controlled3 diode and M5 power terminals IGBT, / IGBT,Inverter Preliminary Data / Maximum Rated Values
ff300r06ke3.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF300R06KE3 IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und Emitter Controlled3 Diode 62mm C-Serien module with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter H chstzul ssige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 600 V vj CES Colle
ff300r06ke3-b2.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF300R06KE3_B2 IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3, Emitter Controlled3 Diode und M5 Lastanschl ssen 62mm C-Serien module with trench/fieldstop IGBT3, Emitter Controlled3 diode and M5 power terminals Vorl ufige Daten IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary Data H chstzul ssige Werte / Maximum
ff300r07me4-b11.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Modul FF300R07ME4_B11 IGBT-Module EconoDUAL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTC EconoDUAL 3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC V = 650V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Hybrid-Nutzfahrzeuge Commercial Agric
Otros transistores... FF225R12ME3 , FF225R12ME4 , FF225R12ME4_B11 , FF225R12MS4 , FF225R17ME3 , FF225R17ME4 , FF225R17ME4_B11 , FF300R06KE3 , STGW60V60DF , FF300R07KE4 , FF300R07ME4_B11 , FF100R12KS4 , FF100R12RT4 , FF100R12YT3 , FF1200R12KE3 , FF1200R17KE3 , FF1200R17KE3_B2 .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941