FF300R06KE3_B2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FF300R06KE3_B2
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 940 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для FF300R06KE3_B2
FF300R06KE3_B2 Datasheet (PDF)
ff300r06ke3 b2.pdf

/ Technical InformationIGBT-FF300R06KE3_B2IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3, Emitter Controlled3 Diode und M5 Lastanschlssen 62mm C-Serien module with trench/fieldstop IGBT3, Emitter Controlled3 diode and M5 power terminals IGBT, / IGBT,Inverter Preliminary Data / Maximum Rated Values
ff300r06ke3.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF300R06KE3IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und Emitter Controlled3 Diode 62mm C-Serien module with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode IGBT,Wechselrichter / IGBT,InverterHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 600 Vvj CESColle
ff300r06ke3-b2.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF300R06KE3_B2IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3, Emitter Controlled3 Diode und M5 Lastanschlssen 62mm C-Serien module with trench/fieldstop IGBT3, Emitter Controlled3 diode and M5 power terminals Vorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum
ff300r07me4-b11.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFF300R07ME4_B11IGBT-ModuleEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTCEconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCV = 650VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hybrid-Nutzfahrzeuge Commercial Agric
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941