FF300R07ME4_B11 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FF300R07ME4_B11
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1100 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS
Encapsulados: MODULE
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FF300R07ME4_B11 datasheet
ff300r07me4 b11.pdf
/ Technical Information IGBT- FF300R07ME4_B11 IGBT-Module EconoDUAL 3 / IGBT4 and diode and NTC EconoDUAL 3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC V = 650V CES I = 300A / I = 600A C
ff300r07me4-b11.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Modul FF300R07ME4_B11 IGBT-Module EconoDUAL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTC EconoDUAL 3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC V = 650V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Hybrid-Nutzfahrzeuge Commercial Agric
ff300r07ke4.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF300R07KE4 IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode 62mm C-Series module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 650V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichte
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