FF300R07ME4_B11 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FF300R07ME4_B11
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1100 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
FF300R07ME4_B11 Datasheet (PDF)
ff300r07me4 b11.pdf

/ Technical InformationIGBT-FF300R07ME4_B11IGBT-ModuleEconoDUAL3 / IGBT4 and diode andNTCEconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCV = 650VCESI = 300A / I = 600AC
ff300r07me4-b11.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFF300R07ME4_B11IGBT-ModuleEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTCEconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCV = 650VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hybrid-Nutzfahrzeuge Commercial Agric
ff300r07ke4.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF300R07KE4IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode62mm C-Series module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled DiodeVorlufige Daten / Preliminary DataV = 650VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichte
Otros transistores... FF225R12ME4_B11 , FF225R12MS4 , FF225R17ME3 , FF225R17ME4 , FF225R17ME4_B11 , FF300R06KE3 , FF300R06KE3_B2 , FF300R07KE4 , FGH30S130P , FF100R12KS4 , FF100R12RT4 , FF100R12YT3 , FF1200R12KE3 , FF1200R17KE3 , FF1200R17KE3_B2 , FF1200R17KP4_B2 , FF1400R17IP4 .
History: VS-150MT060WDF | STGP20M65DF2 | FGH40T100SMD | 2MBI600VE-120-50 | IXBF50N360 | APTGF75SK60D1
History: VS-150MT060WDF | STGP20M65DF2 | FGH40T100SMD | 2MBI600VE-120-50 | IXBF50N360 | APTGF75SK60D1



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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