SKM600GA12E4 Todos los transistores

 

SKM600GA12E4 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SKM600GA12E4

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 913 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2320 pF

Encapsulados: MODULE

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SKM600GA12E4 datasheet

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SKM600GA12E4

SKM600GA12E4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 913 A Tj = 175 C Tc =80 C 702 A ICnom 600 A ICRM ICRM = 3xICnom 1800 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 4 tpsc VGE 15 V Tj =150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 707 A Tj = 175 C SKM600GA12E4 Tc =8

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SKM600GA12E4

SKM600GA12T4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 913 A Tj = 175 C Tc =80 C 702 A ICnom 600 A ICRM ICRM = 3xICnom 1800 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 4 tpsc VGE 15 V Tj =150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Fast IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 707 A Tj = 175 C SKM600GA12T4

 4.2. Size:414K  semikron
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SKM600GA12E4

SKM600GA12V Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 908 A Tj = 175 C Tc =80 C 692 A ICnom 600 A ICRM ICRM = 3xICnom 1800 A VGES -20 ... 20 V VCC = 720 V SEMITRANS 4 tpsc VGE 15 V Tj =125 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Inverse diode IF Tc =25 C 707 A Tj = 175 C SKM600GA12V Tc =80 C 529 A IFnom

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SKM600GA12E4

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History: STGW20H65FB | STGF15M65DF2 | IXSR35N120BD1 | IXXH100N60C3 | NCE80TD60BT | STGB35N35LZ | SL40T65FL

 

 

 

 

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