SKM600GA12V Todos los transistores

 

SKM600GA12V - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKM600GA12V
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 908 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 85 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 3550 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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SKM600GA12V Datasheet (PDF)

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SKM600GA12V

SKM600GA12VAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 908 ATj = 175 CTc =80C 692 AICnom 600 AICRM ICRM = 3xICnom 1800 AVGES -20 ... 20 VVCC = 720 VSEMITRANS 4tpsc VGE 15 V Tj =125C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CInverse diodeIF Tc =25C 707 ATj = 175 CSKM600GA12VTc =80C 529 AIFnom

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SKM600GA12V

SKM600GA12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 913 ATj = 175 CTc =80C 702 AICnom 600 AICRM ICRM = 3xICnom 1800 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS 4tpsc VGE 15 V Tj =150C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 707 ATj = 175 CSKM600GA12T4

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SKM600GA12V

SKM600GA12E4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 913 ATj = 175 CTc =80C 702 AICnom 600 AICRM ICRM = 3xICnom 1800 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS 4tpsc VGE 15 V Tj =150C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CIGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 707 ATj = 175 CSKM600GA12E4Tc =8

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SKM600GA12V

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History: MG150Q2YS65H | AIKW50N60CT | 2MBI300VE-120-50 | APT75GN60LDQ3G | FGA5065ADF | FGY120T65SPD-F085 | AOTF10B65MQ2

 

 
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