SKM600GA12V - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM600GA12V
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 908
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.75
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 125
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 85
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 3550
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 6620
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de SKM600GA12V - IGBT
SKM600GA12V Datasheet (PDF)
skm600ga12v.pdf
SKM600GA12VAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 908 ATj = 175 CTc =80C 692 AICnom 600 AICRM ICRM = 3xICnom 1800 AVGES -20 ... 20 VVCC = 720 VSEMITRANS 4tpsc VGE 15 V Tj =125C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CInverse diodeIF Tc =25C 707 ATj = 175 CSKM600GA12VTc =80C 529 AIFnom
skm600ga12t4.pdf
SKM600GA12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 913 ATj = 175 CTc =80C 702 AICnom 600 AICRM ICRM = 3xICnom 1800 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS 4tpsc VGE 15 V Tj =150C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 707 ATj = 175 CSKM600GA12T4
skm600ga12e4.pdf
SKM600GA12E4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 913 ATj = 175 CTc =80C 702 AICnom 600 AICRM ICRM = 3xICnom 1800 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS 4tpsc VGE 15 V Tj =150C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CIGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 707 ATj = 175 CSKM600GA12E4Tc =8
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Liste
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