SKM600GA12V - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: SKM600GA12V
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 908 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 85 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 3550 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SKM600GA12V
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SKM600GA12V даташит
skm600ga12v.pdf
SKM600GA12V Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 908 A Tj = 175 C Tc =80 C 692 A ICnom 600 A ICRM ICRM = 3xICnom 1800 A VGES -20 ... 20 V VCC = 720 V SEMITRANS 4 tpsc VGE 15 V Tj =125 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Inverse diode IF Tc =25 C 707 A Tj = 175 C SKM600GA12V Tc =80 C 529 A IFnom
skm600ga12t4.pdf
SKM600GA12T4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 913 A Tj = 175 C Tc =80 C 702 A ICnom 600 A ICRM ICRM = 3xICnom 1800 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 4 tpsc VGE 15 V Tj =150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Fast IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 707 A Tj = 175 C SKM600GA12T4
skm600ga12e4.pdf
SKM600GA12E4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 913 A Tj = 175 C Tc =80 C 702 A ICnom 600 A ICRM ICRM = 3xICnom 1800 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 4 tpsc VGE 15 V Tj =150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 707 A Tj = 175 C SKM600GA12E4 Tc =8
Другие IGBT... BSM50GP120 , BSM50GP60 , SKM450GB12E4 , SKM50GAL12T4 , SKM50GB12T4 , SKM50GB12V , SKM600GA12E4 , SKM600GA12T4 , IKW75N60T , SKM600GA176D , SKM600GB066D , SKM600GB126D , SII100N06 , SII100N12 , SII150N06 , SII150N12 , SII200N06 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618




