SKM600GB066D Todos los transistores

 

SKM600GB066D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKM600GB066D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 760 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 77 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2300 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

SKM600GB066D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:922K  semikron
 skm600gb066d.pdf pdf_icon

SKM600GB066D

 6.1. Size:653K  semikron
 skm600gb126d.pdf pdf_icon

SKM600GB066D

 7.1. Size:623K  semikron
 skm600ga12t4.pdf pdf_icon

SKM600GB066D

SKM600GA12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 913 ATj = 175 CTc =80C 702 AICnom 600 AICRM ICRM = 3xICnom 1800 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS 4tpsc VGE 15 V Tj =150C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 707 ATj = 175 CSKM600GA12T4

 7.2. Size:627K  semikron
 skm600ga12e4.pdf pdf_icon

SKM600GB066D

SKM600GA12E4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 913 ATj = 175 CTc =80C 702 AICnom 600 AICRM ICRM = 3xICnom 1800 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS 4tpsc VGE 15 V Tj =150C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CIGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 707 ATj = 175 CSKM600GA12E4Tc =8

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History: CM150RL-24NF | APT20GT60KR | AOK20B120D1 | IRGP4650DPBF | BM63364S-VC | 6MBI50VW-120-50

 

 
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