SII50N06 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SII50N06
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 280 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 9 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de SII50N06 - IGBT
SII50N06 Datasheet (PDF)
sii50n06.pdf
SII50N06NPT IGBT ModulesDimensions in mm (1mm = 0.0394")TC = 25oC, unless otherwise specifiedAbsolute Maximum RatingsSymbol Conditions Values UnitsIGBT Wechselrichter/ IGBT InverterVCES 600 VIC 75(50) TC= 25(80)oC, Tvj= 150oC AICRM 100 TC= 80oC, tP =1ms APtotTC= 25oC, Tvj= 150oC 280 W_VGES +20VDiode Wechselrichter/ Diode Inverter VRRM 600 VIF 50 AIFRM10
psii50-06.pdf
IGBT Module IC80 = 48 APSII 50/06* VCES = 600 VPreliminary Data SheetVCE(sat)typ. = 2.3 VS15R15A15 G15N15ECO-TOPTM 1A7 V12V9A9 V13V10D1K1 Q1A1N1G1U1V1V3 V6typical picture, for pinconfiguration see outlineIGBTsdrawingSymbol Conditions Maximum RatingsVCES TVJ = 25C to 150C 600 V*NTC optionalVGES 20 VIC25 TC = 25C 69 AIC80 TC =
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Liste
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