SII50N06 Todos los transistores

 

SII50N06 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SII50N06
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 280 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 9 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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SII50N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1159K  sirectifier
 sii50n06.pdf pdf_icon

SII50N06

SII50N06NPT IGBT ModulesDimensions in mm (1mm = 0.0394")TC = 25oC, unless otherwise specifiedAbsolute Maximum RatingsSymbol Conditions Values UnitsIGBT Wechselrichter/ IGBT InverterVCES 600 VIC 75(50) TC= 25(80)oC, Tvj= 150oC AICRM 100 TC= 80oC, tP =1ms APtotTC= 25oC, Tvj= 150oC 280 W_VGES +20VDiode Wechselrichter/ Diode Inverter VRRM 600 VIF 50 AIFRM10

 9.1. Size:503K  powersem
 psii50-06.pdf pdf_icon

SII50N06

IGBT Module IC80 = 48 APSII 50/06* VCES = 600 VPreliminary Data SheetVCE(sat)typ. = 2.3 VS15R15A15 G15N15ECO-TOPTM 1A7 V12V9A9 V13V10D1K1 Q1A1N1G1U1V1V3 V6typical picture, for pinconfiguration see outlineIGBTsdrawingSymbol Conditions Maximum RatingsVCES TVJ = 25C to 150C 600 V*NTC optionalVGES 20 VIC25 TC = 25C 69 AIC80 TC =

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History: IRGP4790 | NGTB40N60IHLWG | IXGH48N60C3D1 | SKM150GAL12T4 | IXGK120N60C2 | VS-GB75TP120N | BT50T60ANFK

 

 
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