SII75N06 Todos los transistores

 

SII75N06 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SII75N06
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 335 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 22 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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SII75N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1226K  sirectifier
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SII75N06

SII75N06NPT IGBT ModulesDimensions in mm (1mm = 0.0394")TC = 25oC, unless otherwise specifiedAbsolute Maximum RatingsSymbol Conditions Values UnitsIGBT Wechselrichter/ IGBT InverterVCES 600 VIC 100(75) TC= 25(75)oC AICRM 150 TC= 75oC, tP =1ms APtotTC= 25oC, Tvj= 150oC 355 W_VGES +20VDiode Wechselrichter/ Diode Inverter IF 75 AIFRM150 tP =1ms A2VR=0V

 8.1. Size:722K  sirectifier
 sii75n12.pdf pdf_icon

SII75N06

SII75N12NPT IGBT ModulesDimensions in mm (1mm = 0.0394")TC = 25oC, unless otherwise specifiedAbsolute Maximum RatingsSymbol Conditions Values Units1200VCES VIC 105(75) TC= 25(80)oC AICRM 210(150) TC= 25(80)oC, tP =1ms A_VGES+20 VPtot 625 Wo_ _TVj,(Tstg) TOPERATION

 9.1. Size:494K  powersem
 psii75-12.pdf pdf_icon

SII75N06

IGBT Module IC80 = 60 AVCES = 1200 VPSII 75/12*Preliminary Data SheetVCE(sat)typ. = 2.7 VS15R15ECO-TOPTM 1A15 G15N15A7 V12V9A9 V13 V10D1K1 Q1A1N1G1U1V1V3 V6typical picture, for pinIGBTsconfiguration see outlinedrawingSymbol Conditions Maximum RatingsVCES TVJ = 25C to 150C 1200 V*NTC optionalVGES 20 VIC25 TC = 25C 90 AIC80 TC

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History: MKI100-12F8 | IRG4BC30K | IXEN60N120 | IXSM30N60

 

 
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