SII75N06 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SII75N06
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 335 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 22 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de SII75N06 - IGBT
SII75N06 Datasheet (PDF)
sii75n06.pdf
SII75N06NPT IGBT ModulesDimensions in mm (1mm = 0.0394")TC = 25oC, unless otherwise specifiedAbsolute Maximum RatingsSymbol Conditions Values UnitsIGBT Wechselrichter/ IGBT InverterVCES 600 VIC 100(75) TC= 25(75)oC AICRM 150 TC= 75oC, tP =1ms APtotTC= 25oC, Tvj= 150oC 355 W_VGES +20VDiode Wechselrichter/ Diode Inverter IF 75 AIFRM150 tP =1ms A2VR=0V
sii75n12.pdf
SII75N12NPT IGBT ModulesDimensions in mm (1mm = 0.0394")TC = 25oC, unless otherwise specifiedAbsolute Maximum RatingsSymbol Conditions Values Units1200VCES VIC 105(75) TC= 25(80)oC AICRM 210(150) TC= 25(80)oC, tP =1ms A_VGES+20 VPtot 625 Wo_ _TVj,(Tstg) TOPERATION
psii75-12.pdf
IGBT Module IC80 = 60 AVCES = 1200 VPSII 75/12*Preliminary Data SheetVCE(sat)typ. = 2.7 VS15R15ECO-TOPTM 1A15 G15N15A7 V12V9A9 V13 V10D1K1 Q1A1N1G1U1V1V3 V6typical picture, for pinIGBTsconfiguration see outlinedrawingSymbol Conditions Maximum RatingsVCES TVJ = 25C to 150C 1200 V*NTC optionalVGES 20 VIC25 TC = 25C 90 AIC80 TC
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Liste
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IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2