SII75N06 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: SII75N06
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 335 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SII75N06
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SII75N06 даташит
sii75n06.pdf
SII75N06 NPT IGBT Modules Dimensions in mm (1mm = 0.0394") TC = 25oC, unless otherwise specified Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Units IGBT Wechselrichter/ IGBT Inverter VCES 600 V IC 100(75) TC= 25(75)oC A ICRM 150 TC= 75oC, tP =1ms A Ptot TC= 25oC, Tvj= 150oC 355 W _ VGES +20 V Diode Wechselrichter/ Diode Inverter IF 75 A IFRM 150 tP =1ms A 2 VR=0V
sii75n12.pdf
SII75N12 NPT IGBT Modules Dimensions in mm (1mm = 0.0394") TC = 25oC, unless otherwise specified Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Units 1200 VCES V IC 105(75) TC= 25(80)oC A ICRM 210(150) TC= 25(80)oC, tP =1ms A _ VGES +20 V Ptot 625 W o _ _ TVj,(Tstg) TOPERATION
psii75-12.pdf
IGBT Module IC80 = 60 A VCES = 1200 V PSII 75/12* Preliminary Data Sheet VCE(sat)typ. = 2.7 V S15 R15 ECO-TOPTM 1 A15 G15 N15 A7 V12 V9 A9 V13 V10 D1 K1 Q1 A1 N1 G1 U1 V1 V3 V6 typical picture, for pin IGBTs configuration see outline drawing Symbol Conditions Maximum Ratings VCES TVJ = 25 C to 150 C 1200 V *NTC optional VGES 20 V IC25 TC = 25 C 90 A IC80 TC
Другие IGBT... SII100N06 , SII100N12 , SII150N06 , SII150N12 , SII200N06 , SII200N12 , SII300N06 , SII50N06 , YGW60N65F1A1 , SII75N12 , MMIX1B15N300C , MMIX1B20N300C , MMIX1G120N120A3V1 , MMIX1X200N60B3 , MMIX1X200N60B3H1 , MMIX1X340N65B4 , MMIX1Y100N120C3H1 .
History: TT030N065EI | SPT60N65F1A1 | VS-GB55NA120UX | VS-GB600AH120N | SII150N06 | TGAN25N120FDR | NGTB45N60S2WG
History: TT030N065EI | SPT60N65F1A1 | VS-GB55NA120UX | VS-GB600AH120N | SII150N06 | TGAN25N120FDR | NGTB45N60S2WG
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent



