FGA6560WDF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FGA6560WDF
Polaridad de transistor: N-Channel
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 306
Tensión colector-emisor (Vce): 650
Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.3
Tensión emisor-compuerta (Veg): 20
Corriente del colector DC máxima (Ic): 120
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175
Tiempo de elevación: 67.2
Capacitancia de salida (Cc), pF: 82
Empaquetado / Estuche: TO-3PN
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FGA6560WDF Datasheet (PDF)
..1. fga6560wdf.pdf Size:460K _fairchild_semi
January 2015FGA6560WDF650 V, 60 A Field Stop Trench IGBTFeatures General Description Maximum Junction Temperature : TJ =175oC Using novel field stop IGBT technology, Fairchilds new series of field stop 3rd generation IGBTs offer the optimum performance Positive Temperaure Co-efficient for Easy Parallel Operatingfor Welder applications where low conduction and switching
Otros transistores... IRGC15B120KB , IRGC15B120UB , IRGC16B120KB , IRGC16B60KB , GT50JR22 , RJP30H2A , FGA60N65SMD , FGA6065ADF , FGH40N60SMD , FGH30S130P , GT40WR21 , FGM603 , FGT312 , FGT313 , FGT412 , FGT612 , 2PG001 .



Liste
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