FGA6560WDF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FGA6560WDF

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 306

Tensión colector-emisor (Vce): 650

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.3

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 120

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175

Tiempo de elevación: 67.2

Capacitancia de salida (Cc), pF: 82

Empaquetado / Estuche: TO-3PN

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FGA6560WDF Datasheet (PDF)

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January 2015FGA6560WDF650 V, 60 A Field Stop Trench IGBTFeatures General Description Maximum Junction Temperature : TJ =175oC Using novel field stop IGBT technology, Fairchilds new series of field stop 3rd generation IGBTs offer the optimum performance Positive Temperaure Co-efficient for Easy Parallel Operatingfor Welder applications where low conduction and switching

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