Справочник IGBT. FGA6560WDF

 

FGA6560WDF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: FGA6560WDF

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 306

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 650

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.3

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 120

Максимальная температура перехода (Tj): 175

Время нарастания: 67.2

Емкость коллектора (Cc), pf: 82

Корпус: TO-3PN

Аналог (замена) для FGA6560WDF

 

 

FGA6560WDF Datasheet (PDF)

1.1. fga6560wdf.pdf Size:460K _update_igbt

FGA6560WDF
FGA6560WDF

January 2015 FGA6560WDF 650 V, 60 A Field Stop Trench IGBT Features General Description • Maximum Junction Temperature : TJ =175oC Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop 3rd generation IGBTs offer the optimum performance • Positive Temperaure Co-efficient for Easy Parallel Operating for Welder applications where low conduction and switching

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , 1MBH50D-060 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


FGA6560WDF
  FGA6560WDF
  FGA6560WDF
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: MBQ40T120FES | GT20D201 | MGD633 | IKW30N65WR5 | 2PG001 | FGT612 | FGT412 | FGT313 | FGT312 | FGM603 |
 

 

 

 

 

Back to Top