GT40WR21 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT40WR21
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 375 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1800 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 5.9 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 400 nS
Paquete / Cubierta: TO-3PN
Búsqueda de reemplazo de GT40WR21 IGBT
GT40WR21 Datasheet (PDF)
gt40wr21.pdf
GT40WR21Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBTGT40WR21GT40WR21GT40WR21GT40WR211. Applications (Note)1. Applications (Note)1. Applications (Note)1. Applications (Note) Dedicated to Voltage-Resonant Inverter Switching ApplicationsNote: The product(s) described herein should not be used for any other application.2. Features2. Features2. Features2. Features(1) 6.5t
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Liste
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