GT40WR21 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT40WR21  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 375 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1800 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 5.9 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 400 nS

Encapsulados: TO-3PN

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de GT40WR21 IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

GT40WR21 datasheet

 ..1. Size:381K  toshiba
 gt40wr21.pdf pdf_icon

GT40WR21

GT40WR21 Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT GT40WR21 GT40WR21 GT40WR21 GT40WR21 1. Applications (Note) 1. Applications (Note) 1. Applications (Note) 1. Applications (Note) Dedicated to Voltage-Resonant Inverter Switching Applications Note The product(s) described herein should not be used for any other application. 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 6.5t

Otros transistores... IRGC16B120KB, IRGC16B60KB, GT50JR22, RJP30H2A, FGA60N65SMD, FGA6065ADF, FGA6560WDF, FGH30S130P, GT30F133, FGM603, FGT312, FGT313, FGT412, FGT612, 2PG001, IKW30N65WR5, MGD633