GT60M104 Todos los transistores

 

GT60M104 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT60M104

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 200

Tensión colector-emisor (Vce): 900

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.4

Tensión emisor-compuerta (Veg): 25

Corriente del colector DC máxima (Ic): 60

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 250

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: 2-21F2C

Búsqueda de reemplazo de GT60M104 - IGBT

 

GT60M104 Datasheet (PDF)

1.1. gt60m104.pdf Size:248K _update_igbt

GT60M104
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5.1. gt60m303.pdf Size:420K _toshiba

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GT60M303 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT60M303 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mm Fourth generation IGBT FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed IGBT : tf = 0.25?s (TYP.) FRD : trr = 0.7?s (TYP.) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.1V (TYP.) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , 1MBH50D-060 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
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