GT60M104 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT60M104  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.4 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 250 nS

Encapsulados: 2-21F2C

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GT60M104 datasheet

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