1MBI300F-120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 1MBI300F-120
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1800 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 600 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
1MBI300F-120 Datasheet (PDF)
1mbi300f-120.pdf

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1mbi300f-060.pdf

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1mbi300nn-120.pdf

IGBT MODULE ( N series ) n Outline Drawingnn Featuresn Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Improved FWD Characteristic Minimized Internal Stray Inductance Overcurrent Limiting Function (4~5 Times Rated Current)n Applicationsn High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power
1mbi300hh-120l-50.pdf

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/1MBI300HH-120L-50 IGBT ModulesIGBT MODULE1200V / 300A / 1 in one packageFeaturesHigh speed switchingVoltage driveLow Inductance module structureApplicationsInverter DB for Motor DriveAC and DC Servo Drive Amplifier (DB)Active PFCIndustrial machinesMaximum Ratings and Characteristics Absolute Maximum Ratings (at TC=25
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History: HGT1S14N36G3VL
History: HGT1S14N36G3VL



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