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1MBI400N-120 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 1MBI400N-120

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 3100 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.3 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 250 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 23200 pF

Encapsulados: MODULE

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1MBI400N-120 datasheet

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1MBI400N-120

IGBT MODULE ( N series ) n Outline Drawing n n Features n Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Improved FWD Characteristic Minimized Internal Stray Inductance Overcurrent Limiting Function (4 5 Times Rated Current) n Applications n High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power

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1MBI400N-120

IGBT MODULE ( N series ) n Outline Drawing n n Features n Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Improved FWD Characteristic Minimized Internal Stray Inductance Overcurrent Limiting Function (4 5 Times Rated Current) n Applications n High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power

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1MBI400N-120

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1MBI400N-120

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History: 2MBI300U4H-120 | 1MBI200L-120 | 2MBI1200U4G-120 | 1MBI400L-120 | 2MBI200N-120

 

 

 

 

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