1MBI400N-120 - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

1MBI400N-120 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: 1MBI400N-120
   Тип транзистора: IGBT + Diode + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 250 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 23200 pF
   Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для 1MBI400N-120

1MBI400N-120 Datasheet (PDF)

..1. Size:95K fuji
1mbi400n-120.pdf

IGBT MODULE ( N series ) n Outline Drawingnn Featuresn Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Improved FWD Characteristic Minimized Internal Stray Inductance Overcurrent Limiting Function (4~5 Times Rated Current)n Applicationsn High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power

6.1. Size:190K fuji
1mbi400na-120.pdf

6.2. Size:63K fuji
1mbi400nn-120.pdf

1MBI400NP-120IGBT Module1MBI400NN-1201200V / 400A 1 in one-packageFeatures High speed switching Voltage drive Low inductance module structureApplications Inverter for Motor drive AC and DC Servo drive amplifier Uninterruptible power supply Industrial machines, such as Welding machinesMaximum ratings and characteristicsAbsolute maximum ratings (at Tc=25

6.3. Size:63K fuji
1mbi400np-120.pdf