1MBI600S-120 Todos los transistores

 

1MBI600S-120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 1MBI600S-120
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 4150 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 900 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 250 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 15000 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

1MBI600S-120 Datasheet (PDF)

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1MBI600S-120

. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by . ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by . ./ 8(017)200-56-46

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1MBI600S-120

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/1MBI600V-120-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)1200V / 600A / 1 in one packageFeaturesHigh speed switchingVoltage driveLow Inductance module structureApplicationsInverter for Motor DriveAC and DC Servo Drive AmplifierUninterruptible Power SupplyIndustrial machines, such as Welding machinesMaximum Ratings and Charact

 7.3. Size:1029K  fuji
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1MBI600S-120

. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by IGBT MODULE 1MBI600U4B-120 MS5F 6062 S.MiyashitaMar. 09 05T.Miyasaka Y.SekiMar. 09 05 1MS5F606213K.Yamada 4 4 .

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History: MMG100S120B6TC | 2MBI200TA-060 | MG06400D-BN4MM | IKW40N65ES5 | STGE50NC60WD | IXGT10N170 | MMG400Q060B6EN

 

 
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