1MBI600S-120 Todos los transistores

 

1MBI600S-120 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 1MBI600S-120

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 4150 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 900 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 250 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 15000 pF

Encapsulados: MODULE

 Búsqueda de reemplazo de 1MBI600S-120 IGBT

- Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

1MBI600S-120 datasheet

 ..1. Size:1700K  fuji
1mbi600s-120.pdf pdf_icon

1MBI600S-120

 7.1. Size:1021K  fuji
1mbi600ln-060.pdf pdf_icon

1MBI600S-120

 7.2. Size:252K  fuji
1mbi600v-120-50.pdf pdf_icon

1MBI600S-120

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ 1MBI600V-120-50 IGBT Modules IGBT MODULE (V series) 1200V / 600A / 1 in one package Features High speed switching Voltage drive Low Inductance module structure Applications Inverter for Motor Drive AC and DC Servo Drive Amplifier Uninterruptible Power Supply Industrial machines, such as Welding machines Maximum Ratings and Charact

 7.3. Size:1029K  fuji
1mbi600u4b-120.pdf pdf_icon

1MBI600S-120

. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e mail minsk17@tut.by IGBT MODULE 1MBI600U4B-120 MS5F 6062 S.Miyashita Mar. 09 05 T.Miyasaka Y.Seki Mar. 09 05 1 MS5F6062 13 K.Yamada 4 4 .

Otros transistores... 1MBI50FE-060 , 1MBI50L-060 , 1MBI600LN-060 , 1MBI600LP-060 , 1MBI600NN-060 , 1MBI600NP-060 , 1MBI600PX-120 , 1MBI600PX-140 , IKW50N60H3 , 1MBI600U4-120 , 1MBI600U4B-120 , 1MBI600V-120-50 , 1MBI75L-060 , 1MBI800U4B-120 , 1MBI800UG-330 , 1MBI900V-120-50 , 2MBI1000VXB-170E-50 .

History: 2MBI100SC-120 | 2MBI450VE-120-50

 

 

 


History: 2MBI100SC-120 | 2MBI450VE-120-50

🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores

IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE

 

 

 

Popular searches

ftp08n06a | 2n3405 | 2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet

 

 

↑ Back to Top
.