1MBI600S-120 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: 1MBI600S-120
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4150 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 900 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 250 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 15000 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для 1MBI600S-120
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
1MBI600S-120 даташит
1mbi600v-120-50.pdf
http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ 1MBI600V-120-50 IGBT Modules IGBT MODULE (V series) 1200V / 600A / 1 in one package Features High speed switching Voltage drive Low Inductance module structure Applications Inverter for Motor Drive AC and DC Servo Drive Amplifier Uninterruptible Power Supply Industrial machines, such as Welding machines Maximum Ratings and Charact
1mbi600u4b-120.pdf
. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e mail minsk17@tut.by IGBT MODULE 1MBI600U4B-120 MS5F 6062 S.Miyashita Mar. 09 05 T.Miyasaka Y.Seki Mar. 09 05 1 MS5F6062 13 K.Yamada 4 4 .
Другие IGBT... 1MBI50FE-060 , 1MBI50L-060 , 1MBI600LN-060 , 1MBI600LP-060 , 1MBI600NN-060 , 1MBI600NP-060 , 1MBI600PX-120 , 1MBI600PX-140 , IKW50N60H3 , 1MBI600U4-120 , 1MBI600U4B-120 , 1MBI600V-120-50 , 1MBI75L-060 , 1MBI800U4B-120 , 1MBI800UG-330 , 1MBI900V-120-50 , 2MBI1000VXB-170E-50 .
History: 2MBI400U2B-060 | 2MBI225U4N-170-50
History: 2MBI400U2B-060 | 2MBI225U4N-170-50
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
ftp08n06a | 2n3405 | 2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet










