1MBI600S-120 - аналоги и описание IGBT

 

1MBI600S-120 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: 1MBI600S-120

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 900 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 250 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 15000 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для 1MBI600S-120

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

1MBI600S-120 даташит

 ..1. Size:1700K  fuji
1mbi600s-120.pdfpdf_icon

1MBI600S-120

 7.1. Size:1021K  fuji
1mbi600ln-060.pdfpdf_icon

1MBI600S-120

 7.2. Size:252K  fuji
1mbi600v-120-50.pdfpdf_icon

1MBI600S-120

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ 1MBI600V-120-50 IGBT Modules IGBT MODULE (V series) 1200V / 600A / 1 in one package Features High speed switching Voltage drive Low Inductance module structure Applications Inverter for Motor Drive AC and DC Servo Drive Amplifier Uninterruptible Power Supply Industrial machines, such as Welding machines Maximum Ratings and Charact

 7.3. Size:1029K  fuji
1mbi600u4b-120.pdfpdf_icon

1MBI600S-120

. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e mail minsk17@tut.by IGBT MODULE 1MBI600U4B-120 MS5F 6062 S.Miyashita Mar. 09 05 T.Miyasaka Y.Seki Mar. 09 05 1 MS5F6062 13 K.Yamada 4 4 .

Другие IGBT... 1MBI50FE-060 , 1MBI50L-060 , 1MBI600LN-060 , 1MBI600LP-060 , 1MBI600NN-060 , 1MBI600NP-060 , 1MBI600PX-120 , 1MBI600PX-140 , IKW50N60H3 , 1MBI600U4-120 , 1MBI600U4B-120 , 1MBI600V-120-50 , 1MBI75L-060 , 1MBI800U4B-120 , 1MBI800UG-330 , 1MBI900V-120-50 , 2MBI1000VXB-170E-50 .

History: 2MBI400U2B-060 | 2MBI225U4N-170-50

 

 

 


 
↑ Back to Top
.