2MBI800U4G-120 Todos los transistores

 

2MBI800U4G-120 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2MBI800U4G-120

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 4800 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.12 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 650 nS

Encapsulados: MODULE

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2MBI800U4G-120 datasheet

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2MBI800U4G-120

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ 2MBI800U4G-120 IGBT Modules IGBT MODULE (U series) 1200V / 800A / 2 in one package Features High speed switching Voltage drive Low Inductance module structure Applications Inverter for Motor Drive AC and DC Servo Drive Amplifier Uninterruptible Power Supply Industrial machines, such as Welding machines Maximum Ratings and Characte

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2MBI800U4G-120

2MBI800U4G-170 IGBT Modules IGBT MODULE (U series) 1700V / 800A / 2 in one package Features High speed switching Voltage drive Low Inductance module structure Applications Inverter for Motor Drive AC and DC Servo Drive Amplifier Uninterruptible Power Supply Industrial machines, such as Welding machines Maximum Ratings and Characteristics Absolute Maximum Ratings (at Tc=25 C unles

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