2MBI800U4G-120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2MBI800U4G-120
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 4800 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1200 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.12 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 650 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
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2MBI800U4G-120 Datasheet (PDF)
2mbi800u4g-120.pdf
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Liste
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