2MBI800U4G-120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2MBI800U4G-120
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 4800
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 1200
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.12
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 650
Paquete / Cubierta: MODULE
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2MBI800U4G-120 Datasheet (PDF)
2mbi800u4g-120.pdf
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2mbi800u4g-170.pdf
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Liste
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