6MBI225V-120-50 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 6MBI225V-120-50
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1070 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 225 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 180000 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de 6MBI225V-120-50 IGBT
6MBI225V-120-50 Datasheet (PDF)
6mbi225v-120-50.pdf
http://www.fujisemi.com6MBI225V-120-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)1200V / 225A / 6 in one packageFeaturesCompact PackageP.C.Board MountLow VCE (sat)ApplicationsInverter for Motor DriveAC and DC Servo Drive AmplifierUninterruptible Power SupplyIndustrial machines, such as welding machinesMaximum Ratings and Characteristics Absolute Maximum Ratings (at Tc=25C
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