6MBI225V-120-50 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: 6MBI225V-120-50
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1070 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 225 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 180000 nS
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
6MBI225V-120-50 Datasheet (PDF)
6mbi225v-120-50.pdf

http://www.fujisemi.com6MBI225V-120-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)1200V / 225A / 6 in one packageFeaturesCompact PackageP.C.Board MountLow VCE (sat)ApplicationsInverter for Motor DriveAC and DC Servo Drive AmplifierUninterruptible Power SupplyIndustrial machines, such as welding machinesMaximum Ratings and Characteristics Absolute Maximum Ratings (at Tc=25C
Другие IGBT... 6MBI150VB-060-50 , 6MBI150VB-120-50 , 6MBI150VX-060-50 , 6MBI150VX-120-50 , 6MBI180VB-120-50 , 6MBI180VB-120-55 , 6MBI180VX-120-50 , 6MBI180VX-120-55 , MBQ60T65PES , 6MBI300V-120-50 , 6MBI450V-120-50 , 6MBI50VA-060-50 , 6MBI50VA-120-50 , 6MBI50VW-060-50 , 6MBI50VW-120-50 , 6MBI550V-120-50 , 6MBI75U2A-060 .
History: 2MBI200TA-060 | IQGB228N120GB4 | SRE100N065FSUD6 | ISL9V3036S3S | 2MBI1200U4G-120
History: 2MBI200TA-060 | IQGB228N120GB4 | SRE100N065FSUD6 | ISL9V3036S3S | 2MBI1200U4G-120



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet