BM63363S-VC Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BM63363S-VC  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 33 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃

Encapsulados: MODULE

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BM63363S-VC datasheet

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BM63363S-VC

Datasheet Inverter for motor control 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for low speed switching drive BM63363S-VA BM63363S-VC General Description Key Specifications BM63363S-VA/-VC is an Intelligent Power Module IGBT Collector-Emitter Voltage VCESAT 1.5V(Typ) composed of gate drivers, bootstrap diodes, IGBTs, fly FWD Forward Voltage VF 1.5V(Typ) wheel diodes. Low

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BM63363S-VC

Datasheet Inverter for motor control 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for low speed switching drive BM63364S-VA BM63364S-VC General Description Key Specifications BM63364S-VA/-VC is an Intelligent Power Module IGBT Collector-Emitter Voltage VCESAT 1.5V(Typ) composed of gate drivers, bootstrap diodes, IGBTs, fly FWD Forward Voltage VF 1.5V(Typ) wheel diodes. Low

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