BM63363S-VC Todos los transistores

 

BM63363S-VC - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BM63363S-VC
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 33 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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BM63363S-VC Datasheet (PDF)

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BM63363S-VC

DatasheetInverter for motor control 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for low speed switching drive BM63363S-VA BM63363S-VC General Description Key Specifications BM63363S-VA/-VC is an Intelligent Power Module IGBT Collector-Emitter Voltage VCESAT: 1.5V(Typ) composed of gate drivers, bootstrap diodes, IGBTs, fly FWD Forward Voltage VF: 1.5V(Typ) wheel diodes. Low

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BM63363S-VC

DatasheetInverter for motor control 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for low speed switching drive BM63364S-VA BM63364S-VC General Description Key Specifications BM63364S-VA/-VC is an Intelligent Power Module IGBT Collector-Emitter Voltage VCESAT: 1.5V(Typ) composed of gate drivers, bootstrap diodes, IGBTs, fly FWD Forward Voltage VF: 1.5V(Typ) wheel diodes. Low

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History: VS-GT100LA120UX | IXGH60N60B2 | FGW40N120WD | IXGX35N120B | VS-40MT120UHTAPBF | BG100B12UX3-I | BRG60N65D

 

 
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